Compound Semiconductor Process
EcoPeeler™ Application
□ Al配線工程
▼ Process Flow
成膜
Photo Lithography
Dry Etching
アッシング前洗浄
アッシング前洗浄
ドライエッチング後のレジスト除去をアッシングで行いたいが、ドライエッチング残渣が多く、アッシング後の残渣除去が難しいときに有効な方法です。
Ashing
残渣除去
エッチング・アッシング残渣除去
EcoPeeler™の根源であるAl配線用の除去剤です。すべてのグレードで直接水リンスが可能で有機溶媒による中間リンスが不要です。スタンダードグレード、ダメージレス洗浄、積層金属配線用の３つのタイプを準備しております。
成膜
Photo Lithography
Dry Etching
Via hole洗浄
◇ Wet etching
◇ 高選択性SiO2エッチング剤
SiN、W、TiN、Siなどに対してダメージなくSiO2を選択的にエッチングする高選択性のエッチング液です。犠牲膜のウェットエッチング用として、周辺材料に対するエッチング選択性を高め、SiO2だけを標的としてエッチングします。
また、独自の表面スイッチング機能により、リンス時に表面保護層を完全に除去する機構を付与することができるため、リンス時のウォーターマークの発生がありません。
◇ 低速シリコンエッチング剤
極めて微細な領域でのシリコン、ドープドシリコンの低速エッチングを目的としたエッチング液です。前処理として自然酸化膜の除去を行ったあと、選択的にSi層を標的としてウェットエッチングを行います。特にゲート周辺材料に対する保護機能を有しているため、前処理以外での周辺材料に対するダメージが生じません。また、Siに対する反応制御技術を用いているため、Siに対するエッチングレートの制御性が極めて高いことが特徴です。
◇ SiO2スライトエッチング剤
EcoPeeler™ 独自のEtchant Controlling TechnologyとSurface Reaction Controlling Technologyを採用し、サブオングストロームレベルのエッチングレートをコントロールすることのできるSiO2スライトエッチング液です。
極めて安定的にエッチングレートを制御する技術を有しているため、微細な領域におけるエッチング残渣、アッシング残渣の除去、異物の除去等スライトエッチングを必要とするプロセスで有効な薬液です。
また、対象とする物質に対しての表面張力、リフトオフ効果、表面の改質などの機能を付与できるため、活用用途は多岐に渡ります。
◇ 基板洗浄処理剤
◇ ダメージレス洗浄
◇ ダメージレス洗浄
EcoPeeler™を用いたダメージレス洗浄は、特に微細領域における残渣がわずかであり、一般的な薬液処理を用いるとパータンダメージが大きくなってしまう場合に非常に有効な手段となります。
EcoPeeler™が得意とする表面反応制御技術により、周辺材料に対するダメージをなくすだけでなく、材料間のガルバニック腐食を考慮した薬液処理条件を構築します。
また、水リンス時のパターン倒壊や微細部の薬液の浸透性など、独自の表面化学技術を駆使した薬液機能を付加することが可能です。